企業(yè)級(jí)SSD向超薄、高密度、7×24穩(wěn)定工作演進(jìn)，供電與掉電保護(hù)對(duì)電容提出小型化、大容值、低ESR、低漏流、高可靠要求。永銘TQ系列（TQD/TQW）聚合物鉭電容采用底面端子結(jié)構(gòu)，從結(jié)構(gòu)、材料、封裝到產(chǎn)線，系統(tǒng)解決SSD電容選型痛點(diǎn)。

一、結(jié)構(gòu)對(duì)比：傳統(tǒng)鉭電容 vs 永銘底面端子結(jié)構(gòu)

傳統(tǒng)鉭電容引線結(jié)構(gòu)：有引腳，兩次彎折，引腳長(zhǎng)度更長(zhǎng)；內(nèi)部空間小，鉭芯占比約36%；

永銘底面端子結(jié)構(gòu)：無(wú)引腳，無(wú)彎折，鉭芯直接連接基板；內(nèi)部空間加大，鉭芯占比約43%；

圖1 傳統(tǒng)鉭電容結(jié)構(gòu)vs永銘新型鉭電容結(jié)構(gòu)

二、核心優(yōu)勢(shì)：永銘新型鉭電容vs傳統(tǒng)鉭電容

①更高容量、更薄型化、更小型化

相同條件下（35V），新型鉭電容容值提升約19%。

去掉引線框占位后，產(chǎn)品內(nèi)部空間利用率從36% 提升到 43%，更適配超薄SSD。

典型對(duì)比：

薄型化：68μF 35V，7.3×4.3×2.8 mm → 7.3×4.3×1.9 mm

小型化：22μF 25V，7.3×4.3×1.9 mm → 3.5×2.8×1.9 mm

圖2 68μF35V 兩種結(jié)構(gòu)的聚合物產(chǎn)品容量對(duì)比

②低漏電流

傳統(tǒng)引線框架結(jié)構(gòu)需二次折彎，鉭芯受力，存在漏電流升高風(fēng)險(xiǎn)；永銘底面端子結(jié)構(gòu)無(wú)需折彎，漏電流更穩(wěn)定。

封裝方面，傳統(tǒng)封裝熔融溫度可達(dá)180℃，并需約10公斤壓力進(jìn)行塑封，內(nèi)部鉭芯承受壓力可能導(dǎo)致漏電流升高。永銘采用先進(jìn)封裝技術(shù)，低固化溫度150℃、非注塑、極低應(yīng)力，漏電流表現(xiàn)更優(yōu)。

圖3 常溫同規(guī)格條件下 底面端子VS傳統(tǒng)L型的漏電流對(duì)比

圖4 高溫105℃同規(guī)格條件下 底面端子VS傳統(tǒng)L型的漏電流對(duì)比

三、核心電性能與可靠性表現(xiàn)

①多重防濕措施：通過(guò)雙85實(shí)驗(yàn)測(cè)試

經(jīng)過(guò)雙85實(shí)驗(yàn)測(cè)試，電容容量、漏電流保持穩(wěn)定，并遠(yuǎn)離規(guī)格限值。測(cè)試過(guò)程中未出現(xiàn)短路失效，適合長(zhǎng)期工作場(chǎng)景。

②壽命期內(nèi)容量更穩(wěn)定：充放電測(cè)試

永銘TQ系列聚合物鉭電容已通過(guò)-5℃~+85℃溫度范圍內(nèi)的上下電測(cè)試，累計(jì)20000 cycle，電壓范圍0V~UR。試驗(yàn)后容量變化約-5%，滿足SSD上下電工作需求。

圖5 TQD15 35V47μF -5℃環(huán)溫 容量-充放電曲線

圖5 TQD15 35V47μF 85℃環(huán)溫 容量-充放電曲線

耐受兩萬(wàn)次充放電，電容容量穩(wěn)定，滿足SSD上下電工作需求。

四、適配SSD的TQ系列推薦

對(duì)標(biāo)同行：永銘TQ系列可提供與主流品牌同類規(guī)格的Pin-to-Pin選型支持。具體替代方案需結(jié)合電路降額、紋波電流、壽命要求、PCB布局等因素評(píng)估確認(rèn)。

五、結(jié)語(yǔ)

永銘TQ系列聚合物鉭電容，具有低背、高耐壓、大容值、低ESR、低漏流、高可靠等顯著優(yōu)勢(shì)，十分適用于企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)、AI數(shù)據(jù)中心及邊緣計(jì)算等相關(guān)應(yīng)用。

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