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相約2026算博會|永銘電解電容展區(qū)前瞻:SSD場景電容方案全解析

相約2026算博會|永銘電解電容展區(qū)前瞻:SSD場景電容方案全解析

2026/8/25 15:45:30

2026年9月2-4日,2026開放數(shù)據(jù)中心大會(ODX)暨首屆算博會將在北京國家會議中心二期盛大啟幕。上海永銘電子股份有限公司將在B11超級電容展區(qū)、B12電解電容展區(qū)重磅亮相。

本次展會,永銘電解電容展區(qū)將圍繞AI服務器主供電源、SSD存儲、主板算力三大核心應用場景,展示液態(tài)牛角型、液態(tài)插件型、高分子混合動力、高分子聚合物鉭、疊層高分子固態(tài)電解電容等多品類產品矩陣。本文率先聚焦SSD存儲場景,詳解永銘電容方案如何為AI數(shù)據(jù)存儲筑牢電力根基。


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SSD場景:三大產品線協(xié)同,夯實AI存儲電力根基

AI服務器SSD對PLP掉電保護的儲能容量與響應速度要求日益嚴苛,U.2、E1.S、E3.S等多樣化形態(tài)也對電容器的薄型化與體積利用率提出更高挑戰(zhàn)。

永銘針對SSD場景,已形成液態(tài)插件型鋁電解電容、高分子聚合物鉭電解電容、高分子混合動力鋁電解電容三大產品線,覆蓋從PLP大容量儲能到主控濾波的全鏈路需求。

展品亮點速覽

高分子聚合物鉭電容 —— 薄型化PLP儲能,高容量密度

永銘TQD/TQW系列聚合物鉭電容,采用新一代底面端子結構,專為SSD薄型化與高可靠PLP儲能場景設計。

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核心優(yōu)勢:

●底面端子結構:同尺寸下鉭芯體積提升25%,容量密度顯著提高

●耐壓提升10%:短路故障率降低4.6倍,可靠性大幅增強

●薄型化優(yōu)勢:1.5mm/1.9mm超薄封裝,適配E1.S、E3.S等緊湊型SSD

●對比MLCC無偏壓容衰:容量不隨電壓升高而衰減,實際有效容量更高

●無嘯叫:無壓電效應,避免可聞噪聲

●節(jié)省PCB空間:單顆可替代多顆MLCC,大幅縮減貼裝面積與焊點數(shù)量


高分子混合動力鋁電解電容 —— 大容量儲能,高性價比之選

永銘NGY/NHT系列固液混合電容,融合電解液的自愈特性和高分子材料的低ESR優(yōu)勢,兼顧大容量儲能與長壽命需求。

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核心優(yōu)勢:

●固液混合技術:兼具電解液自愈性與高分子低ESR,雙重優(yōu)勢

●大容量儲能:單顆最高3300μF,并聯(lián)顆數(shù)少、PCB空間省

●寬溫寬壓:35V耐壓,覆蓋SSD PLP主流儲能需求

●高性價比:鋁基材料成本可控、交期穩(wěn)定,是大容量儲能的理想選擇

液態(tài)插件型鋁電解電容 —— 大容量儲能,專為SSD PLP設計

永銘LKL/LKF系列插件型液態(tài)鋁電解電容,專為SSD的PLP(掉電保護)電路設計。掉電瞬間,電容快速釋放儲存電能,為Cache中的數(shù)據(jù)回寫Flash提供完整的保護窗口,有效避免數(shù)據(jù)丟失風險。


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核心優(yōu)勢:

●0.8mm特制引線:直徑加粗設計,拉力為友商0.6mm引線的2倍,抗振動性能優(yōu)異,適用于企業(yè)級SSD高可靠性場景

●超低高度:實際高度≤29.60mm,滿足緊湊型SSD限高要求

●容量提升6%、ESR降低35%:同等規(guī)格下性能更優(yōu)

●130℃/5,000H高溫耐久:容衰僅-12.26%,長效穩(wěn)定

●20,000次充放驗證:33V/10秒充放循環(huán)后容衰顯著優(yōu)于友商

●LKF系列長壽命備選:105℃/10,000H,適配不同壽命等級需求


兩場主題演講 · 深度技術分享

除展品展示外,永銘電子還將在本次算博會的兩場核心分論壇中發(fā)表主題演講:

9月2日 | 會場5 · 服務器分論壇:

永銘超級電容在服務器主(備用)電源中的解決方案

9月4日 | 會場5 · 存儲部件分論壇:

永銘電容在SSD中的應用


相約北京,共赴算力盛宴

2026算博會以"開放算力生態(tài),Token普惠創(chuàng)新"為主題,超8,000㎡展區(qū)將匯聚算力芯片、液冷技術、智算集群等全鏈條產品與方案。

永銘SSD全場景電容方案均已就位。無論您正在設計企業(yè)級SSD的PLP保護電路,還是為液冷環(huán)境下的存儲方案尋找高可靠電容——歡迎整機廠商、服務器方案設計商、數(shù)據(jù)中心架構師蒞臨B12電解電容展區(qū),現(xiàn)場獲取規(guī)格書、選型建議與FAE技術對接支持。


我們期待與您面對面交流電容器在AI存儲領域的最新技術突破,共同推動中國算力產業(yè)從"能用"邁向"好用、易用、優(yōu)用"!


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唐楠
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