當(dāng)半導(dǎo)體制造邁入后摩爾時(shí)代，檢測(cè)需求正在快速升級(jí)。從傳統(tǒng)晶圓表面缺陷檢測(cè)，到先進(jìn)封裝、多層堆疊結(jié)構(gòu)解析，客戶(hù)面臨的挑戰(zhàn)已經(jīng)不再只是“看得見(jiàn)”，而是要同時(shí)解決檢測(cè)區(qū)域更大、結(jié)構(gòu)更精細(xì)、數(shù)據(jù)量更龐大、節(jié)拍要求更高等多重問(wèn)題。

尤其在 Chiplet、CoWoS、FOPLP、RDL、混合鍵合、TSV 等新型工藝持續(xù)演進(jìn)的背景下，檢測(cè)系統(tǒng)正在面臨三個(gè)越來(lái)越突出的矛盾：

視場(chǎng)不足：拍攝頻次多，影響檢測(cè)效率

分辨率不足：微結(jié)構(gòu)難以穩(wěn)定解析，影響檢測(cè)精度

吞吐能力不夠強(qiáng)：整機(jī)效能與后端 AI 處理能力難以充分釋放。

鑫圖100G超高通量面陣相機(jī)：Libra 27105 即將登場(chǎng)

正是在這樣的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)下，鑫圖 100G 超高通量面陣相機(jī) Libra 27105 即將登場(chǎng)。它圍繞半導(dǎo)體檢測(cè)對(duì)大視場(chǎng)、高精度、高效率的綜合需求而設(shè)計(jì)，為先進(jìn)制造場(chǎng)景提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的面陣快照成像方案。

2.5英寸超大靶面，效率提升3倍

隨著 Chiplet、CoWoS、FOPLP 等先進(jìn)封裝向大尺寸發(fā)展，檢測(cè)區(qū)域持續(xù)擴(kuò)大。傳統(tǒng)面陣相機(jī)視場(chǎng)覆蓋不足，需要多次拍攝拼接，導(dǎo)致檢測(cè)節(jié)拍下降并增加拼接誤差，成為大尺寸封裝AOI效率提升的關(guān)鍵限制。

Libra 27105采用28.08mm × 28.08mm超大感光區(qū)域，相比傳統(tǒng)21MP（GSPRINT 4521）級(jí)大靶面工業(yè)相機(jī)，有效成像面積提升約3倍，對(duì)比65MP （GMAX 3265 ）機(jī)型提升約 35%；單次拍攝覆蓋更廣，檢測(cè)效率顯著提升。

112fps@105MP：實(shí)現(xiàn)100億級(jí)像素/秒高通量采集

隨著半導(dǎo)體檢測(cè)向自動(dòng)化、智能化發(fā)展，缺陷分類(lèi)、自動(dòng)復(fù)判和精密量測(cè)需要更大規(guī)模、更高質(zhì)量的圖像數(shù)據(jù)輸入，對(duì)相機(jī)的數(shù)據(jù)吞吐能力提出更高要求。

Libra 27105搭載100G CoF高速接口，在1.05億像素全分辨率下，幀率高達(dá)112fps，數(shù)據(jù)吞吐量達(dá)到11,760 MP/s。相較典型65MP或21MP級(jí)工業(yè)相機(jī)，數(shù)據(jù)吞吐能力提升約2.5倍，為AI檢測(cè)、缺陷復(fù)檢及精密量測(cè)提供更高效的數(shù)據(jù)采集能力。

2.74 μm高密度像元：提升精細(xì)結(jié)構(gòu)和微缺陷解析力

隨著先進(jìn)封裝中微米級(jí)線路、凸點(diǎn)和互連結(jié)構(gòu)不斷增加，檢測(cè)系統(tǒng)不僅需要覆蓋更大區(qū)域，也需要保持足夠的空間采樣能力。

Libra 27105采用2.74 μm小像元設(shè)計(jì)，在2.5英寸級(jí)超大靶面下實(shí)現(xiàn)105MP高分辨率成像，在兼顧大視場(chǎng)與高通量的同時(shí)，為精細(xì)結(jié)構(gòu)和微小缺陷解析提供更高的空間采樣能力。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

鑫圖光電Libra 27105超高通量面陣相機(jī)即將重磅首發(fā)！

8月31日，無(wú)錫第十四屆半導(dǎo)體設(shè)備材料及核心部件展C1-118展位，為您深度解析后摩爾時(shí)代下的半導(dǎo)體檢測(cè)超大面陣解決方案，敬請(qǐng)關(guān)注！